jcjin的心情筆記

主流運算領域的主導廠商們正強化各方面的努力，以期找到一種平行編程模式，為早已出現在晶片製造商發展藍圖中的多核心處理器提供實際的支援。

英特爾(Intel)和微軟(Microsoft)公司們計劃在5年內提供大約1,000萬美元的資助，幫助美國加州柏克萊大學建立一座新的平行運算實驗室(PCL)，最初共接受14名大學教職員參與該計劃。包括美國麻省理工學院(MIT)、史丹佛大學與伊利諾大學等20多所大學都加入申請該計劃的競爭之列。

去年稍晚，美國AMD公司指派一位首席架構師全權負責召集相關產業，共同針對支援異質多核心CPU的各種概念進行討論。根據AMD表示，開發廠商們必須從根本上擴展現有的軟體堆疊，以處理即將出現的一系列採用各種核心、加速器以及記憶體類型的處理器產品。

在今年的VLSI WEEK大會上，如何突破‘後CMOS時代’半導體產業挑戰，以及因應各種消費及嵌入式設計興起，致使需求日益提升的‘高壓電子元件’，成為大會上主要討論的兩大主要議題。

由台灣工研院(ITRI)與國際電機電子工程師學會共同舉辦的VLSI WEEK今年已邁入第25屆，在超過半世紀的半導體發展歷史中，VLSI大會一直以探討超越當前5~10年的先進技術而成為整個半導體產業矚目的焦點。

然而，在2000年以後，半導體業面臨著獲利急速衰減、產品生命週期日益縮短、開發新材料，以及諸如經濟成長趨緩、原物料上漲，甚至次級房貸衝擊等經濟面的不同挑戰。這使得業者們面臨的情況不再僅側重於製程或材料科技的突破，而是必須從基本經濟環境開始，考量整體產業變遷並尋找新興需求，以應對產業景氣變化。

惠普實驗室(HP Labs)的資深院士R. Stanley Williams不久前成功地證實了有關「憶阻器(memristor)」的學說──所謂的憶阻器是指電子電路中除了電阻、電容與電感之外的第四種被動元素，早在1971年就由美國加州柏克萊大學教授Leon Chua所提出，不過當時僅是初步發現，直到日前才由HP正式發表。而此一成果也意味著相關教科書必須重新改寫。

憶阻器概念的創始人Chua表示：「我的處境跟1869年發明化學元素週期表的俄羅斯化學家Dmitri Mendeleev很類似；Mendeleev當時假設該週期表上有許多失落的元素，而現在所有的化學元素都已經被發現了。同樣的，來自HP Labs的Stanley Williams發現失落的電路元素──憶阻器。」

Chua當時是以數學推論電子電路在電阻、電容與電感之外還有第四種元素；他將之命名為憶阻器的緣故，是因為該元素會透過電阻的改變「記憶」電流的變化。而現在HP則宣稱發現了首個憶阻器的實例──它是由一片雙層的二氧化鈦(bi-level titanium dioxide)薄膜所形成，當電流通過時，其電阻值就會改變。