更新日期:2011/05/06 03:01 蔡鵑如/綜合報導

中國時報【蔡鵑如/綜合報導】

全球半導體龍頭英特爾四日宣布革命性的「三閘」(Tri-Gate)的電晶體製造技術,率先以立體(3D)而非平面(2D)方式大量生產,最快將在年底前投產,明年並運用於英特爾的新處理器「Ivy Bridge」,大幅提高個人電腦、智慧型手機與平板電腦等裝置的效能。

英特爾並未透露新電晶體技術細節,但「邏輯技術開發部門」主管波爾(Mark Bohr)指出,該公司將是首家把3D電晶體技術投產的業者,與現有的卅二奈米製程相比,採用廿二奈米製程的3D電晶體,可提高三七%效能,電力消耗僅2D一半。

英特爾自豪地稱,這是積體電路自一九五○年代問世以來,矽晶片設計最重大的進展。執行長歐德寧說,有了新科技加持,將可打造出更多「影響全世界的驚奇裝置」。

英特爾投入3D電晶體研發已近十年,原理近似在寸土寸金的城市蓋摩天大樓,爭取更多空間。在平面晶片架構上,新增一道垂直置於基板的薄片,體積卻不會加大,創造更高效能,並延續「摩爾定律」(Moore’s Law)。

一九六五年,英特爾共同創辦人摩爾(Gordon Moore)預言,隨著晶片的製程技術進步,晶片上的電晶體數目每十八個月可增加一倍,效能大幅增進,即為所謂「摩爾定律」。

四十多年來,由於晶片尺寸越來越小,電腦越來越輕薄短小且價格低廉,但受到半導體製造成本日增的影響,摩爾定律面臨失效威脅。隨著3D電晶體問世,摩爾定律趨勢將可持續數年。

3D晶片也可望助英特爾在較弱的行動通訊區塊,追上對手安謀(ARM)。市面上平板電腦與智慧手機幾乎都採用安謀晶片,一般認為它較英特爾的x86處理器更省電。

產業分析師對三閘技術多半抱持期待心理,市調機構VLSI Research執行長哈奇森說:「我們尋覓了幾十年,現在出現了革命性的技術變革。」

Mercury Research晶片分析師麥卡隆也認為,儘管3D電晶體細節尚未明朗,但將引領潮流。「英特爾將把3D電晶體量產,意味它已是完成體。」 另有分析師表示,英特爾可望領先對手一整個世代。台灣的台積電表示,兩年內不會運用三閘技術。

 

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